如何將整片晶圓分割成獨立的芯片呢？

將硅片分裂成小片的過程通常稱為“劃片"或“切割"（Dicing），這是半導體制造中的關鍵步驟，用于將晶圓分割成獨立的芯片（die）。以下是幾種常見方法及注意事項：

1. 機械劃片（Dicing Saw）

原理：使用高速旋轉的金剛石刀片或硬質合金刀片切割硅片。

步驟：

貼膜：將硅片背面粘貼在藍膜（UV膠膜）上，固定位置。

劃片：用劃片機沿預先設計的切割道（切割線）進行切割。

清洗：去除切割產生的碎屑（可用去離子水或超聲波清洗）。

分離：拉伸藍膜使小芯片分離。

優點：成本低、效率高，適合大批量生產。

缺點：可能產生微裂紋或碎屑，需控制刀速和冷卻。

2. 激光切割

原理：利用高能激光（如紫外激光）燒蝕硅片，形成切割道。

步驟：

激光聚焦：將激光聚焦到硅片表面，局部高溫汽化材料。

掃描路徑：按切割道移動激光束，形成連續切割線。

清洗分離：類似機械劃片。

優點：精度高（可達微米級）、無機械應力，適合超薄硅片或復雜形狀。

缺點：設備昂貴，熱影響區可能需后續處理。

3. 化學蝕刻

原理：使用化學溶液（如KOH、TMAH）選擇性蝕刻硅片。

步驟：

掩膜保護：在硅片表面涂覆光刻膠，曝光顯影出切割道圖案。

蝕刻：通過化學溶液去除無掩膜保護的硅材料。

去膠清洗：去除掩膜，清洗硅片。

優點：無機械損傷，適合特殊形狀或極薄硅片。

缺點：速度慢，需精確控制蝕刻參數，廢液處理復雜。

4. 等離子切割（Plasma Dicing）

原理：利用等離子體蝕刻硅片，形成深槽。

步驟：

掩膜制備：類似化學蝕刻。

等離子刻蝕：通過反應離子刻蝕（RIE）形成切割道。

優點：高精度、無碎屑，適合先進制程。

缺點：設備復雜，成本高。

注意事項

安全防護：切割過程可能產生硅粉塵或化學蒸汽，需佩戴護目鏡、手套，并在通風環境中操作。

精度控制：切割深度需略大于硅片厚度，避免殘留連接。

后續處理：切割后可能需拋光邊緣或進行電學測試。