MicroChem光刻膠是芯片制造過程中的關鍵材料，芯片制造要根據具體的版圖（物理設計，layout）設計出掩模板，然后通過光刻（光線通過掩模板，利用光刻膠對裸片襯底等產生影響）形成一層層的結構，后形成3D立體電路結構，從而產生Die（裸片）。工藝的發展，光刻機的發展，材料學的同步發展才能促進摩爾定律的發展。

　　

　　MicroChem光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。

　　

　　MicroChem光刻膠的技術復雜，品類較多，根據其化學反應機理可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠做涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

　　

　　MicroChem光刻膠參數主要包括以下幾種：

　　

　　1）分辨率，用關鍵尺寸（摩爾定律）來衡量分辨率；

　　

　　2）對比度，光刻膠從曝光區到非曝光區過度的陡度，會對芯片制造良率產生影響；

　　

　　3）粘滯性粘度，衡量光刻膠流動特性的參數；

　　

　　4）敏感度，產生一個良好的圖形所需一定波長光的小能量值（小曝光量）；

　　

　　5）粘附性，粘附于襯底的強度；

　　

　　6)抗蝕性，光刻膠要保持粘附在襯底上并在后續刻蝕工序中保護襯底表面；