專為去除SEM & TEM樣品的碳氫污染而設計。*的雙清洗模式（immersion和downstream）能夠處理各種不同的樣品，從嚴重污染的電子光學孔徑光闌到各種脆弱易損樣品，如石墨烯、碳納米管、類金剛石碳膜以及多孔碳支持膜銅網上的TEM樣品。石英樣品托板上的孔洞可以安裝標準SEM樣品托。

特點：

1. 系統具有雙等離子源。浸入式等離子源用于主動表面處理、光刻膠蝕刻。遠程式等離子源用于溫和的污染清除以及脆弱易損樣品的表面活化

2. 13.56MHz高頻射頻發生器

3. 7英寸觸摸屏控制界面，全自動操作

4. 標配75W版本，可選150W版本

5. 標配2路氣體輸入，可選第三路氣體輸入

6. 可選與FEI、JEOL、HITACHI等TEM樣品桿配套的適配器

7. AC輸入：通用(110~230V, 50/60Hz)

三、技術參數

1、控制系統

1）操作界面：7英寸電阻觸摸屏操作界面，支持多種工作方式。

2）程序控制：可編程，總共有20個程序，每個程序有3個清潔步驟

2、反應腔體

1）腔體材質：圓柱形石英玻璃艙。

2）腔體尺寸：內徑110毫米，外徑120毫米，深度280毫米，壁厚：5毫米。

3）前觀測窗：前方開口，5毫米厚石英玻璃可視窗口，可觀測內腔等離子狀態，并帶有防真空泄漏和避免高壓的聯鎖裝置，有效保護操作的安全性；

3、射頻電源

1）射頻頻率：13.56MHz

2）射頻功率：標配0~75W；可選配0~150W。從0瓦到150瓦之間以1瓦間距連續可調，自動阻抗匹配。

3）射頻輸出可以工作在脈沖方式，脈沖比可以從1/255調到255/255（連續輸出）。

4、等離子源

1）等離子強度探測器實時測量等離子源強度。

2）電阻耦合電離方式。

3）外置電極設計，高壓電極不合等離子接觸以避免金屬濺射造成的樣品污染。

5、氣體控制

1）氣路控制：標配一路MFC；可選配三路MFC；

2）質量流量計可以在0~100sccm之間控制氣體流量；

3）一路(Venting and purging)氣體入口用來快速給樣品室放氣和沖走殘余處理氣體。

4）自動放氣流程控制可以保護真空泵不受影響。

5）高性能氣壓計可以測量1e-4 Torr到大氣壓之間的氣壓。

6）6mm氣體接口。

6、真空系統

1）KF25法蘭接口用來連接真空泵。

2）真空要求：抽速：>1.7m3/h；

3）低氣壓：<=200mTorr.