應用領域

型號

特性

半導體

NR9-PY

用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫

NR71-PY

用于lift-off工藝，高溫，可作為間隔材料

NR9-P

高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕

NR71-P

做掩膜，適用于干法刻蝕，可作為間隔材料

NR21-P

100um的膜厚，具有良好的分辨率

NR5

可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕

PR1

耐高溫，用于一般圖案的正性光刻膠，離子刻蝕，濕法刻蝕

IC1/DC5

濾波等電解質材料

PC3

平坦化，臨時黏附及機械保護

BDC1/PDC1/ZPDC1

摻雜工藝

太陽能

BDC1

摻硼材料

PDC1

摻磷材料

NR71/NR9-PY

用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫/做間隔材料

NR9-P

高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕

LED/OLED/HBLED

NR9-PY

用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫

NR71-P

做掩膜，適用于干法刻蝕，可作間隔材料

IC1

濾波等電解質材料

MEMS

NR9-P

高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕

NR5/NR71

可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕/做掩膜，可作間隔材料

NR2

可實現120um膜厚，6：1深寬比的圖案，適用于電鍍、濕法刻蝕

NR71/NR9-PY

用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫/做間隔材料

PC3

平坦化，臨時黏附及機械保護

IC1

濾波等電解質材料

微流體與生物芯片

NR71-P

做掩膜，適用于干法刻蝕，可作間隔材料

NR2

可實現120um膜厚，6：1深寬比的圖案，適用于電鍍、濕法刻蝕

NR5

可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕

光電子

NR71/NR9-PY

用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫/做間隔材料

NR71-P

做掩膜，適用于干法刻蝕，可作間隔材料

PR1

刻蝕制程中的正性光刻膠，適用于噴涂和輥涂

NR9-P

高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕

NR2-P

可實現100um膜厚的凹凸圖案，分辨率好，易于去膠

封裝

NR2-P

可實現100um膜厚的凹凸圖案，分辨率好，易于去膠

NR5

可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕

PR1

刻蝕制程中的正性光刻膠，適用于噴涂和輥涂

平坦化

PC3

平坦化，臨時黏附及機械保護

圖案印刷

PR1

刻蝕制程中的正性光刻膠，適用于噴涂和輥涂

NR9

增強了黏附性，適用于噴涂和輥涂

顯影液

RD6

顯影時間短，適用于正、負性光刻膠，

去膠液

RR41/RR5

可以安全、高效的去除光刻膠及臨時涂層，適用于多種襯底材料

邊膠清洗液

EBR2

高效、快速的邊膠去除