Plasmionique支持 CVD / ALD / PECVD / RIE

1. 多樣化工藝支持

支持等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）、反應離子刻蝕（RIE）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）等多種表面處理工藝。

使用射頻（RF）或微波等離子體，適用于低壓環境。

2. 緊湊型設計

系統整體尺寸約寬32英寸、深22英寸、高24英寸，適合桌面操作。

沉積腔室直徑為8英寸，高度6-10英寸，可處理最大4英寸直徑的基板。

3. 靈活的真空系統

配備干式/濕式機械泵（6-9 cfm），可選渦輪分子泵（80-90 L/s，用于ICP源），適應不同真空需求。

4. 高自動化控制

全計算機控制，內置PLASMICON控制軟件，支持工藝配方自動化。

可編程RF發生器（120W-300W）搭配自動阻抗匹配網絡，確保穩定等離子體生成。

5. 基板處理能力

基板支架可選水冷或加熱至300°C，適應不同材料需求。

支持雙工藝氣體線路和自動排氣系統，提升工藝靈活性。

6. 實時監控與分析

集成光學光譜選項，用于工藝過程監控與調控。

10英寸觸摸屏界面，提供實時數據監測、采集及用戶友好交互。

7. 擴展性與安全

可選水冷系統和渦輪泵站，增強系統性能。

數據采集與存儲功能，確保工藝可追溯性。

8. 應用領域

適用于半導體、納米材料、光學涂層等領域的研發與小規模生產。

這些特點使Plasmionique系統成為多功能、高精度且用戶友好的表面處理解決方案，兼顧科研與工業需求。

Plasmionique支持 CVD / ALD / PECVD / RIE