KemLab 正性光刻膠 KLT 6000

描述： KLT 6000 是一款適用于 i-Line、g-Line 和寬帶應用的正性光刻膠。KLT 6000 具有高靈敏度、高通量和優異的工藝寬容度。

• 單次涂布覆蓋 2.5-12 微米厚度

• 設計用于行業標準的 0.26 N TMAH 顯影液

• ● 無需后烘 (PEB)

• ● 可提供定制配方

基板 (Substrate)

KLT6000 可粘附于多種基板，包括金、玻璃、鋁、鉻和銅。建議使用 HMDS（六甲基二硅氮烷）底涂劑。HMDS 底涂劑將增強 KLT6000 對大多數基板的附著力。

旋涂 (Spin Coat)

目標膜厚使用右圖所示的旋涂速度曲線確定。涂布程序包括 5-10 秒的鋪展循環；較厚膜層使用較長時間。最終轉速下的旋涂時間為 45 秒。旋涂曲線使用 6 英寸硅片和靜態點膠約 4 ml KLT6000 光刻膠測定。

對于 KLT6000 及大多數其他低于 10 微米的正性光刻膠，微調膜厚的公式如下：

新旋涂速度 = 原旋涂速度 × (實測膜厚 / 目標膜厚)2

前烘 (Soft Bake)

推薦的烘板前烘溫度為 $105^{°}C+/?5^{°}C$。典型烘烤時間為 120 秒；更長的烘烤時間有助于去除較厚膜層中的澆鑄溶劑。

曝光與光學參數 (Exposure & Optical Parameters)

KLT 6000 適用于 i-Line、寬帶或 g-Line 曝光。

后烘 (Post-Exposure Bake, PEB)

對于大多數應用，無需進行后烘 (PEB)。

如果特定工藝需要 PEB，請在接觸式烘板上以 90°C 烘烤 90 秒。

顯影 (Develop)

KLT6000 設計用于 0.26N TMAH 顯影液?？刹捎媒]式、浸沒或噴霧-浸沒方式顯影。較厚的膜層在顯影步驟中更新顯影液會受益，例如采用雙重浸沒。

詳情請見工藝指南表。

蝕刻阻擋 (Etch Resist)

濕法化學蝕刻液（用于金、銅、鉻、鋁等）不會降解 KLT6000 制作的圖形。

光刻膠去除 (Photoresist Removal)

KLT6000 可使用行業標準去膠劑（如 NMP、DMSO 等）在 50-80°C 下去除。

較厚的膜層可采用雙槽工藝去除：第一個槽去除大部分光刻膠，第二個槽清潔干凈。

儲存 (Storage)

請將產品直立存放在密閉容器中，儲存于 40-70°F (4-21°C) 的環境下。遠離氧化劑、酸、堿和火源。

操作與處置注意事項 (Handling & Disposal Considerations)

請查閱 MSDS（材料安全數據表）以了解操作方法和適當的個人防護設備 (PPE)。KLT 6000 含有易燃液體；遠離火源、熱源、火花和火焰。

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